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北京科技大學 - 話題

金屬學歷年試題+答案+相關資料
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huitailang
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發(fā)表于 2010-12-08 00:18
樓主
二00二年試題:
一.名詞解釋(20分,每個2.5分)
(1)點陣畸變 (2)柏氏矢量 (3)相圖 (4)過冷度
(5)形變織構(gòu)   (6)二次再結(jié)晶 (7)滑移系 (8)孿生

二.畫出立方晶系中(111)面、(435)面。寫出立方晶系空間點陣特征。 (10分)

三.鑄錠的一般組織可分為哪幾個區(qū)域?寫出其名稱。并簡述影響鑄錠結(jié)晶組織的因素。(10分)

四.畫圖并簡述形變過程中位錯增殖的機制。(10分)

五.寫出菲克第一定律的數(shù)學表達式,并說明其意義。簡述影響擴散的因素。(10分)

六.簡述形變金屬在退火過程中顯微組織、存儲能及其力學性能和物理性能的變化。(10分)

七.簡述固態(tài)相變與液態(tài)相變的相同點與不同點。(10分)

八.畫出鐵碳相圖,標明相圖中各特征點的溫度與成分,寫出相圖中包晶反應、共晶反應與共析反應的表達式。(10分)

九.分析再過程中行核和張大與凝固過程中的行核和張大有何不同點。(10分)

十.分析含碳量0.12%的鐵碳合金的結(jié)晶過程。(10分) (單考生做)

十一.簡述鑄錠的宏觀偏析。(10分)(單考生做)

十二.簡述金屬晶體中缺陷的類型。(10分)(單考生做)
答案:
一,1,點陣畸變:在局部范圍,原子偏離其正常的點陣位置,造成點陣畸變。
2,柏氏矢量:描述位錯特征的一個重要矢量,它集中反映了位錯區(qū)域內(nèi)畸變總量的大小和方向,也是位錯掃過后晶體相對滑動的量。
3,相圖:描述各相平衡存在條件或共存關系的圖解,也可稱為平衡時熱力學參量的幾何軌跡。
4,過冷度:相變過程中冷卻到相變點以下某個溫度后發(fā)生轉(zhuǎn)變,平衡相變溫度與該實際轉(zhuǎn)變溫度之差稱過冷度。
5,形變織構(gòu):多晶形變過程中出現(xiàn)的晶體學取向擇優(yōu)的現(xiàn)象。
6,二次再結(jié)晶:再結(jié)晶結(jié)束后正常長大被抑制而發(fā)生的少數(shù)晶粒異常長大的現(xiàn)象。
7,滑移第:晶體中一個滑移面及該面上的一個滑移方向的組合稱一個滑移系。
8,孿生:晶體受力后,以產(chǎn)生孿晶的方式進行的切變過程。
二,立方晶系中(111)面、(435)面圖略。立方晶系空間點陣特征是點陣參數(shù)有如下關系:a=b=c, α=β=γ=90°。也可用具有哪類對稱元素表示,若有四個三次轉(zhuǎn)軸,則對應立方點陣。
三,分為三晶區(qū):激冷區(qū)、柱狀晶區(qū)、中心等軸晶區(qū)。
影響鑄錠結(jié)晶組織的因素:1,液體過冷度,越小越好。2,凝固溫度范圍,越大越好,有利于枝晶的破碎。3,溫度梯度,越小越有利于等軸晶。4,合金熔點低,溫度梯度小。5,攪拌或加孕育劑。
四,frank-read源機制,圖略見課本;泼嫔弦粋在A,B兩點被釘扎的位錯AB,在應力 作用下弓出(狀態(tài)2),弓出到3狀態(tài)時,下方相鄰部分反號相吸,并局部合并,完成一次增殖過程放出一位錯環(huán)(狀態(tài)4)。在應力 作用下,繼續(xù)重復前面1-4過程。
五,一維下,J=-D  ;J:擴散流量,單位時間通過單位面積擴散的物質(zhì)量, D:擴散系數(shù), :濃度梯度, :其意義為物質(zhì)擴散量與該物質(zhì)的濃度梯度成正比,方向相反。
影響擴散的因素:1,溫度,滿足D=D0e   的關系,T升高,D增加。2,界面表面及位錯,是擴散的快速通道。3,第三組元,可對二元擴散有不同影響 ,如Mo、W降低C在r-Fe中的擴散系數(shù),Co、Si加速C擴散,Mn影響不大。4,晶體結(jié)構(gòu),低對稱性的晶體結(jié)構(gòu)中,存在擴散的各向異性,如六方結(jié)構(gòu)晶體,平等與垂直于基面的擴散系數(shù)不同。5,熔點,同一合金系中,同一溫度下熔點高的合金中擴散慢,熔點低的擴散快。
六,隨退火溫度的升高或時間延長,出現(xiàn)亞晶合并長大,再結(jié)晶武術及長大,無位錯的等軸再結(jié)晶晶粒取代長條狀高位錯密度的形變晶粒,然后是晶粒正常長大。儲存能逐漸被釋放,硬度及強度下降,伸長率上升,電阻降低,密度提高。再結(jié)晶時各種性能變化都比回復時強烈得多。
七,相同點:都是相變,由形核、長大組成。臨界半徑,臨界形核功形式相同。轉(zhuǎn)變動力學也相同。
不同之處:形核阻力中多了應變能一項,千萬固態(tài)相變的臨界半徑及形核功增大,新相可以亞穩(wěn)方式出現(xiàn),存在共格,半共格界面,特定的取向關系,非均勻形核。
八,鐵碳相圖。略
包晶反應:L(0.53%C)+δ-Fe(0.09%C)→γ-Fe(0.17%C)
共晶反應:L(4.3%C)→γ-Fe(2.11%C)+Fe3(6.69%C)
共析反應:γ-Fe(0.77%C)→α-Fe(0.02%C)+Fe3C(6.69%C)
九,凝固時形核的驅(qū)動力,是新、舊化學位差,再結(jié)晶驅(qū)動力只是形變儲存能。
凝固常是均勻形核,再結(jié)晶形核在現(xiàn)有的形變不均勻區(qū),如晶界附近、切變帶、形變帶、第二相粒子周圍。凝固長大時與母相不會有取向關系,再結(jié)晶長大時可有特定取向關系。
十,含碳0.12%的鋼,由液相冷卻時,先形成鐵素體,到1495℃包晶溫度,部分進行包晶反應;新相奧氏體在已生成的鐵素體上形核并向鐵素體和液相中生長。反應后是兩相組織鐵素體+奧氏體,圖略。鐵素體相對量為:(0.17-0.12)/(0.17-0.09)=62.5%。繼續(xù)冷卻得到單相奧氏體。
十一,宏觀偏析:正常偏析和比重偏析。
正常偏析:指按合金的分配系數(shù)先析出的含溶質(zhì)低,后凝固的含溶質(zhì)多。因鑄錠尺寸大,由表面到中心成分不均勻,偏析出現(xiàn)在宏觀尺度上,稱宏觀偏析。
反常偏析:仍遵守分配系數(shù)關系,只是形成大量枝晶后,富集溶質(zhì)的液相會沿枝晶間的通道逆向反流到先凝固的鑄錠表面附近,千萬由表面到中心成分分布的反常。
比重偏析:是凝固時,固相與液相比重不同,而沉積或漂浮,從而造成鑄錠下端與上端成分的不均勻,也是宏觀尺度。
十二,按尺寸分為:點缺陷,如溶質(zhì)、雜質(zhì)原子、空位;線缺陷,如位錯;面缺陷,如各種晶界、相界、表面等;體缺陷,如孔洞、氣泡等。體缺陷對材料性能是絕對有害的。


說明:
1,答案應該都是正確的,但打字的過程中難免出現(xiàn)錯誤。
2,用word中的公式編輯器編碼緝的公式可能顯示不正常,有的公式干脆就略了。
3,題目中的圖片都沒有給出。以后可能會補上。
二00三年


二00三年試題:[20080304]
1.名詞解釋(30分):
(1)刃型位錯和螺型位錯模型  (2)晶界與界面能
(3)同分凝固與異分凝固   (4)形變織構(gòu)
(5)二次再結(jié)晶   (6)淬透性與淬硬性

2.簡述二元系中共晶反應、包晶反應和共析反應的特點;并計算其各相平衡時的自由度。(12)
3.什么是點陣參數(shù)?正方晶系和立方晶系的空間點陣特征是什么?畫出立方晶系中(1 2 -3)的晶面。(12)
4.凝固過程中形核和長大與再結(jié)晶過程中形核和長大主要區(qū)別是什么?簡述再結(jié)晶過程中核心的產(chǎn)生方式。(12)
5.簡述菲克第一定律和菲克第二定律的含義,寫出其表達式,并標明其字母的物理含義。(12)
6.簡述晶界和晶粒大小對多晶體范性變形的作用與影響。(12)
7.什么是一次帶狀組織和二次帶狀組織?分析一次帶狀組織和二次帶狀組織形成的原因。(12)
8.畫出Fe-C相圖,標明Fe-C相圖中各點的溫度和含碳量。(12)
9.簡述固態(tài)相變的一般特點。(12)(統(tǒng)考生做,單考生不做)
10.簡述凝固過程的宏觀特征,敘述凝固過程中晶體成長的機理。(12) (統(tǒng)考生做,單考生不做)
11.什么是固溶體?影響固溶體的原因有哪些?固溶體與其純?nèi)軇┙M元相比,其結(jié)構(gòu)、力學性能和物理性能發(fā)生了哪些變化?(12)(統(tǒng)考生做,單考生不做)
12. 列舉三種增加凝固過程中核心數(shù)的方法,簡要分析其增加核心數(shù)的原因。(12)(統(tǒng)考生做,單考生不做)
13.簡述含碳量為0.25%的鋼的結(jié)晶過程和固態(tài)組織轉(zhuǎn)變過程。(12)(統(tǒng)考生做,單考生不做)
14.簡述連續(xù)脫溶和不連續(xù)脫溶的含義。(12)(統(tǒng)考生做,單考生不做)
15.根據(jù)缺陷相對與晶體尺寸和其影響范圍的大小,缺陷可以分為哪幾類?簡述這幾類缺陷的特征。(12)(統(tǒng)考生做,單考生不做)



答案:

一,1,刃型位錯和螺型位錯模型:將晶體上半部切開,插入半個晶面,再粘合起來;這樣,在相當于刃端部為中心線的附近一定范圍,原子發(fā)生有規(guī)則的錯動。其特點是上半部受壓,下半部受拉。這與實際晶體中的刃型位錯造成的情景相同,稱刃型位錯模型。同樣,將晶體的前半部切開,以刃端為界使左右兩部分沿上下發(fā)生一個原子間距的相對切變,再粘合起來,這時在已切動和未切動交界線附近,原子錯動情況與真實的螺位錯相似,稱螺型位錯模型。
2,晶界與界面能:晶界是成分結(jié)構(gòu)相同的同種晶粒間的界面。界面上的原子處在斷鍵狀態(tài),具有超額能量。平均在界面單位面積上的超額能量叫界面能。
3,同分凝固與異分凝固:凝固時不發(fā)生成分變化的稱同分凝固;反之,凝固時伴隨成分變化,稱異分凝固。
4,形變織構(gòu):多晶形變過程中出現(xiàn)的晶體學取向擇優(yōu)現(xiàn)象。
二次再結(jié)晶:再結(jié)晶結(jié)束后正常長大過程被抑制而發(fā)生少數(shù)晶粒異常長大的現(xiàn)象。
6,淬透性與淬硬性:淬透性指合金淬成馬氏體的能力,主要與臨界冷卻有關,大小用淬透層深度表示。而淬硬性指淬火后能達到的最高硬度。主要與鋼中的碳含量有關。
二,共晶反應是:液相同時凝固出兩個不同成分的固相相互配合生長,一般長成片層狀。
共析與共晶相似,只是母相是固相,即一個固相同時生成另兩個不同成分的固相。
包晶反應是:液相與一個固相反應生成另一個固相,新生成的固相包住原有的固相,反應需要固相中的擴散,速度較慢。
這三種反應出現(xiàn)時,自由度都是0,即三相成分固定,溫度也固定。
三,點陣參數(shù)是描述點陣單胞幾何開關的基本參數(shù),由六個參數(shù)組成,即三個邊長a、b、c和它們之間的三個夾角α、β、γ。
正文晶系的點陣參數(shù)特征是a≠b≠c,α=β=γ=90°。
立方晶系的點陣參數(shù)特征是a=b=c,α=β=γ=90°
立方晶系中(123)的晶面特征圖略。
四、凝固時形核和長大的驅(qū)動力是新、舊相化們差,再結(jié)晶器形核和長大的驅(qū)動力只是形變儲存能。
凝固時的形核常為均勻形核;再結(jié)晶形核常在現(xiàn)有的形變不均勻區(qū)中,如晶界附近、切變帶、形變帶、第二相粒子周圍;凝固長大時與母相不會有取向關系,再結(jié)晶長大時可能有一定的取向關系。
再結(jié)晶核心產(chǎn)生方式:1,原有晶界推移成核,也稱應變誘導晶界遷移式形核;2,亞晶成核,即通過亞晶合并或長大形成新晶粒。
五、菲克第一定律第二定律,見課本。
六,多晶中,每個晶粒與周圍相鄰晶粒取向不同,滑移開始的早晚不同,滑移系數(shù)目也不同;晶粒間的協(xié)調(diào)是靠有足夠的獨立滑移系的開動來實現(xiàn)的,即某一晶粒在一特定力軸作用下,取向因子大的滑移系先開動,當相鄰晶粒相接觸的區(qū)域受到周圍晶粒的影響而不能自己主滑移系開動進行形變時,可開動次生的、新的滑移系,以協(xié)調(diào)各種復雜的形變方式;FCC/BCC結(jié)構(gòu)都有5個獨立滑移系,可實現(xiàn)任一種方式的形變。晶界兩側(cè)滑移面不平等,晶界一方面是位錯運動的障礙,造成位錯塞積和強化;同時要求晶界附近多系滑移的出現(xiàn),以協(xié)調(diào)晶界兩側(cè)的形變。晶粒大小對形變的影響是:晶粒細小,整個晶?奢^形變均勻,不同的滑移系組合少;晶粒粗大時,形變過程中晶內(nèi)不同區(qū)域不能相互協(xié)調(diào),要求不同的滑移系組合并開動,常常出現(xiàn)晶粒“碎化”,即一個大晶粒,隨形變的進行“碎化”成幾部分,不同部分內(nèi)有不同的滑移系開動。
對性能的影響到遵循h(huán)all-petch關系σs=σ0+Kd-1/2       即晶粒越細,晶界越多晶界對運動位錯阻礙越顯著,提高強度幅度越大。
七,一次帶狀組織是凝固時形成枝晶,熱軋后成帶狀而產(chǎn)生的;在CuCl浸蝕下,黑色條帶是枝晶干(含溶質(zhì)不),白色條帶常是富集雜質(zhì)的枝晶間,也稱原始帶狀。二次帶狀是固態(tài)轉(zhuǎn)變的產(chǎn)物,在硝酸酒精浸蝕下,白色帶狀是先共析鐵素體,黑色帶狀是珠光體,也稱顯微帶關組織。只有在一次帶狀的基礎上才會產(chǎn)生二次帶狀。這些帶狀都與元素的偏析和夾雜物的特殊分布有關。
八,略。
九,1,相變阻力中多了應變能一項。
2,形核方面:非均勻形核,存在特定的取向關系,常為共格或半共格界面。
3,生長方面:出現(xiàn)慣習現(xiàn)象,即有脫溶貫序;特殊/規(guī)則的組織形態(tài),如片狀、針關。
4,有亞穩(wěn)相出現(xiàn)以減少相變阻力。
十,凝固時宏觀特征是:要有一定的過冷度,會放出明顯的結(jié)晶潛熱。
成長機理有三種:連續(xù)式成長、二維形核及借助臺階側(cè)向生長、借螺旋位錯生長。
十一,溶質(zhì)原子原子態(tài)溶入溶劑點陣中組成的單一均勻固體;溶劑的點陣類型被保留。
影響固溶度的因素有:
1,原子尺寸因素。當溶劑、溶質(zhì)原子直徑尺寸相對差小于±15%時,有大的代位溶解度。
2,負電性因素。溶劑、溶質(zhì)的負電性差越小溶解度越大,一般小于0.4~0.5%會有較大溶解度。
電子濃度因素。有兩方面的含義:一是原子價效應,即同一溶劑金屬,溶質(zhì)的原子價越高,溶解度越。欢窍鄬r效應,即高價溶質(zhì)溶入低價溶劑時的溶解度高于相反的情況。
特點是:固溶體中有點陣畸變(強度、硬度會提高)而造成點陣常數(shù)變化;出現(xiàn)原子偏聚或有序化,甚至形成有序固溶體。
固溶體的結(jié)構(gòu)變化:點陣畸變,點陣常數(shù)變化,偏聚及短程有序,甚至形成有序固溶體。力學性能變化:硬度、強度提高,塑性下降,物理性能變化:電阻加大,導電率下降。
十二,1,提高冷卻速度從而加大了過冷度。相變驅(qū)動力加大,提高了形核率。
2。加孕育劑。提供大量的非均勻形核地點,提高了形核率,降低了形核位壘。
3,機械或電磁攪拌。將枝晶振碎增加核數(shù)目或加強熱滿打滿算能量落,提高了,形核率。
十三,如圖所示。由液相先凝固出鐵素體,在1495℃進行包晶反應,生成奧氏體;繼續(xù)冷卻,由生產(chǎn)剩余的液相再次析出奧氏體,然后變成單相奧氏體。冷至約800℃,從奧氏體中析出先共析鐵素體,在727℃進行共析反應,形成珠光體,最后得到鐵素體加珠光體組織。
十四,連續(xù)脫溶:隨新相生成,母相成分連續(xù)的由過飽和態(tài)轉(zhuǎn)變到飽和態(tài)。
不連續(xù)脫溶:也稱胞狀脫溶,此時在母相和新生成的a相間存在一個界面,跨過界面母相由過飽和不連續(xù)地突變到飽和狀態(tài)狀態(tài),點陣常數(shù)也不連續(xù)。
十五,有四類:
點缺陷:沿三個方向的尺寸很小,溶質(zhì)原子、間隙原子、空位。
線缺陷:沿兩個方向的尺寸很小,第三個方向睥尺寸很大,甚至可貫穿整個晶體,指位錯。
面缺陷:沿一個方向上的尺寸很小,另兩個方向上的尺寸很大,如晶界,相界。
體缺陷:在三個方向上的尺寸較大,但不是很大,如第二相粒子,顯微空洞
二00四年試題

1. 簡述題:(4分/小題,共40分)
  (1)滑移臨界分切應力(2)金屬鍵(3)中間相(4)布喇菲點陣(5)再結(jié)晶溫度(6)滑移系(7)位錯(8)二次再結(jié)晶(9)偏析(10)

馬氏體相變
2.單相金屬或合金各晶粒間的界面一般稱之為晶界,通常晶界又分為小角度晶界和大角度晶界兩大類,試問:劃分為兩類晶界的依據(jù)是什么?

并討論構(gòu)成小角度晶界的結(jié)構(gòu)模型。(10分)
3.分別畫出立方晶系晶胞內(nèi)的(110)、(112)晶面和[110]、[111]晶向。(10分)
4.討論晶體結(jié)構(gòu)和空間點陣之間的關系(10分)
5.什么是固溶體?討論影響固溶體溶解度的主要因素。(10分)
6.分析和討論冷加工金屬或合金變形后回復再結(jié)晶過程中組織和性能的變化特征。(10分)
7.畫出Fe-Fe3C相圖,分析含碳量為1.1wt%(重量百分比)的鐵碳合金從液相平衡凝固到室溫時的轉(zhuǎn)變過程,畫出組織轉(zhuǎn)變示意圖,并計算出室

溫撕各組織的相對含量。(20分)
8.分析和討論影響金屬或合金中原子擴散的主要因素。(10分)
9.以Al-4.5%Cu合金為例,分析過飽和固溶體的脫溶分解過程(脫溶貫序),并討論脫溶溫度對脫溶貫序的影響。(10分)
10.金屬的固態(tài)相變與金屬的結(jié)晶過程基本一樣,大多也包括形核和生長兩個基本階段,但在固態(tài)相變過程中新、舊兩相的比容不同,使系統(tǒng)額

外增加了應變能以及由相界面上的原子不匹配而引起的彈性應變能,因此固態(tài)相變在許多方面與結(jié)晶過程有著顯著的差別。試分析固態(tài)相變的

一般特點。(10分)
11.寫出所附Au-Hf體系相圖(圖1)中的三相反應,并劃出虛線框內(nèi)部分的相平衡關系局部擴大示意圖。(10分)
12.分析固態(tài)相變和回復再結(jié)晶過程的驅(qū)動力。
13.敘述鋼錠中常見的宏觀組織缺陷,消除或改善方法。
14.敘述常見的金屬晶體的內(nèi)外界面。



答案:
一,1,滑移臨界分切應力:滑移系開動所需的最小分切應力;它是一個定值,與材料本身的性質(zhì)有關,與外力取向無關。
2,金屬鍵:自由電子與原子核之間靜電作用產(chǎn)生的鍵合力。
3,中間相:合金中組元之間形成的、與純組元結(jié)構(gòu)不現(xiàn)的相。在相圖的中間區(qū)域。
4,布喇菲點陣:除考慮晶胞外形外,還考慮陣點位置所構(gòu)成的點陣;颍撼紤]旋轉(zhuǎn)對稱性外,還考慮平移對稱性,經(jīng)有心化后構(gòu)成的全部陣點。
5,再結(jié)晶溫度:形變金屬在一定時間內(nèi)剛好完成再結(jié)晶的最低溫度。
6,滑移系:晶體中一個可滑移面及該面上一個滑移晶向合稱一個滑移系。
7,位錯:是晶體內(nèi)的一種線缺陷,其特點是沿一條線方向原子有規(guī)律地發(fā)生錯排,這種缺陷用一線方向和一個柏氏矢量共同描述。
8,二次再結(jié)晶:不規(guī)則結(jié)晶結(jié)束后,正常長大過程被抑制而發(fā)生的少數(shù)晶粒反常長大的現(xiàn)象。
9,偏析:合金中化學成分的不均勻性。
10,馬氏體相變:其過程遵循無擴散、切變方式的相轉(zhuǎn)變。
二,依據(jù)是按界面兩側(cè)晶粒間的取向差,<15的稱小角度晶界,>15的稱大角度晶界。小角度晶界的結(jié)構(gòu)模型是位錯模型,比如對稱傾轉(zhuǎn)晶界用一組平等的刃位錯來描述。
三,見圖
四,兩者之間的關系可用“空間點陣+基元=晶體結(jié)構(gòu)”來描述。
空間點陣只有14種,基元可以是無窮多種,因面構(gòu)成的具體的晶體結(jié)構(gòu)也是無窮多種。
五,溶質(zhì)原子以原子態(tài)溶入溶劑點陣中而組成的單一均勻固體;溶劑的點陣類型被保留。
影響固溶度的因素有:
1,原子尺寸因素。當溶劑、溶質(zhì)原子直徑尺寸相對差小于15%時,有利于大的代位固溶體溶解度;當兩組元的直徑相對差大于41%時,有利于高的間隙固溶體的溶解度。
2,負電性因素。溶劑、溶質(zhì)的負電性差越小溶解度越大,一般小于0.4~0.5會有圈套溶解度。
3,電子濃度因素。有兩方面的含義:一是原子價效應,即同一溶劑金屬中,溶質(zhì)原子價越高,溶解度越小;二是相對價效應,即高價溶質(zhì)溶入低價溶劑時的溶解度高于相反的情況。
六,隨退火溫度的升高或時間延長,出現(xiàn)亞晶合并長大,再結(jié)晶形核及長大,無位錯的等軸再結(jié)晶晶粒取代長條狀高位錯密度的形變晶粒,然后是晶粒正常長大。儲存能逐漸釋放,特別是再結(jié)晶階段釋放的最顯著;硬度及強度下降,伸長率上升;電阻降低,密度提高。再結(jié)晶時各種性能變化都比回復時強烈得多。
七,鐵碳相圖略。
1.1%的鋼由液相冷卻時先進入L+γ奧氏本兩相區(qū),形成枝晶或等軸狀γ奧氏相,然后進入奧氏體單相區(qū);繼續(xù)冷卻到~760℃剩余的奧氏體轉(zhuǎn)變?yōu)橹楣怏w,最后的組織是珠光體+網(wǎng)狀二次滲碳體,如圖所示
珠光體的相對含量:(6.67-1.1)/(6.67-0.77)=94.4%
網(wǎng)狀滲碳體相對含量:(1.1-0.77)/(6.67-0.77)=5.6%
影響擴散的因素有:
1,溫度;2,界面、表面及位錯:3,第三組元:4,晶體結(jié)構(gòu):5,熔點:同一合金系中,同一溫度下熔點高的合金擴散慢,熔點低的擴散快。
九,Al-4.5%Cu合金固溶處理后,在最佳時效溫度~150時效,會出現(xiàn)脫溶貫序:
過飽和固溶體→GP區(qū)→θ’’→ θ’→ θ
其中GP區(qū)是銅原子富集區(qū):θ’’、θ’是四方結(jié)構(gòu)亞穩(wěn)相,圓盤狀,沿基體的{100}面析出,具有共格/半共格界面,與基體存在特定的取向關系;θ是四方結(jié)構(gòu)穩(wěn)定相,不規(guī)則形狀。
提高時效溫度,脫溶加快,但過飽和度減少,相變驅(qū)動力減少,可能導致辭直接析出平衡相,時效強化能力減弱;時效溫度過低則情況相反,達到最佳性能的時間過長。
十,1,相變阻力中多了應變能一項。
2,形核方面:非均勻形核為主:具有特定的取向關系;相界面常為共格或半共格的。
3,生長方面:具有慣習現(xiàn)象,有特定的組織形態(tài),如片狀、針狀。
4,有亞穩(wěn)相。
十一,L+Au5Hf→FCC(Au)
L+Au4Hf→Au5Hf
L+Au3Hf→Au4Hf
L+Au2Hf→Au3Hf
L→Au2Hf+β-AuHf
Au2Hf+β-AuHf→Au10Hf7
β-AuHf→Au10Hf7+α-AuHf
L→β-AuHf+AuHf2
β-AuHf+AuHf2→α-AuHf
L→AuHf2+BCC(Hf)
BCC(Hf) →AuHf2+HCP(Hf)
十二,固態(tài)相變的驅(qū)動力是新、舊兩相間的自由能差,回復再結(jié)晶的驅(qū)動力是形變儲存能。
十三,宏觀缺陷有:宏觀偏析(如正常偏析、反常偏析、畢生偏析)和帶狀組織以及縮孔、疏松、氣泡等。嚴格來講,也包括三晶區(qū)的組織不均勻性。
宏觀缺陷(化學不均勻性、物理不均勻性和組織不均勻性)往往是相互聯(lián)系的,一般希望盡可能多而細的中心等軸晶,可采用加孕育劑、加大冷速、這樣,與柱狀晶/枝狀晶區(qū)相伴隨的宏觀偏析和縮孔、氣泡也就明顯改善了。
十四,它們包括晶界、相界、表面、孿晶界、層錯。
晶界是同種晶粒之間的交界面;相界是結(jié)構(gòu)、成分不,同的相間的交界面;表面是晶體與大氣或外界接觸的界面;孿晶界是發(fā)生孿生后產(chǎn)生的新界面,是特殊的大角晶界,可是共格的或半共格的;低能層錯是單相晶體內(nèi)因堆垛順序反常變化后出現(xiàn)的新界面,也是低能界面,與孿晶界能量相近。zz

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