中科院新疆理化所研究生導(dǎo)師任迪遠(yuǎn)介紹如下：

任迪遠(yuǎn),男,研究員(自然科學(xué))

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郵政編碼:830011 

任迪遠(yuǎn)，男，漢族，1950年生于新疆。中共黨員，研究員，博士生導(dǎo)師。

任迪遠(yuǎn)同志長期從事半導(dǎo)體輻射物理領(lǐng)域的研究工作，先后主持或承擔(dān)了國家自然科學(xué)基金、國家“863”、航天科技預(yù)先研究、航天科技基金、中科院基礎(chǔ)重點研究、赴美國耶魯大學(xué)合作進(jìn)行美國國家自然科學(xué)基金項目研究等20余項科研課題。獲國家科技進(jìn)步三等獎１項；中科院科技進(jìn)步一等獎1項、二等獎2項、三等獎2項；新疆維吾爾自治區(qū)科技進(jìn)步二等獎2項、三等獎1項。近期主要從事雙極類器件和電路的低劑量率輻射損傷增強(qiáng)效應(yīng)及實驗室加速模擬評估方法的研究；大規(guī)模集成電路、SOI器件和電路的輻射損傷評估等方面的研究。目前已培養(yǎng)研究生26人（博士2人、碩士24人）。發(fā)表論文130余篇。

任迪遠(yuǎn)同志主要的學(xué)術(shù)兼職有：新疆維吾爾自治區(qū)科協(xié)委員，中國核學(xué)會理事，新疆維吾爾自治區(qū)核學(xué)會理事長，中國抗輻射電子學(xué)與電磁脈沖專業(yè)委員會委員；《Chinese Physics B》、《Journal of Semiconductors》等國內(nèi)核心期刊的論文評審專家。

任迪遠(yuǎn)同志曾被國家863授予“《十五》國家863先進(jìn)個人”稱號，及中國科學(xué)院授予的“《十五》預(yù)先研究先進(jìn)個人”稱號。曾多次被評為新疆維吾爾自治區(qū)的優(yōu)秀專家，享受國務(wù)院頒發(fā)的政府特殊津貼，并獲2000年中國科學(xué)院優(yōu)秀領(lǐng)導(dǎo)班子獎。

主要研究領(lǐng)域：

1． 數(shù)字電路、模擬電路及光電器件的總劑量輻射效應(yīng)及損傷機(jī)理研究；
2． 數(shù)字電路、模擬電路及光電器件的輻射損傷評估方法研究；
3． 數(shù)字和模擬電路及器件的抗輻射加固技術(shù)研究；

代表性文章 REPRESENTATIVE PUBLICATIONS

1、任迪遠(yuǎn)，陸嫵，余學(xué)峰，郭旗，艾爾肯，“雙極器件和電路的不同劑量率的輻射效應(yīng)研究”，固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，2006，26（4）：471。
2、任迪遠(yuǎn)，陸嫵，郭旗，余學(xué)鋒等，“CMOS運算放大器的輻照和退火行為”半導(dǎo)體學(xué)報，2004，25（6）：731。
3、任迪遠(yuǎn)，陸嫵，余學(xué)鋒，郭旗，張國強(qiáng)，“不同注F劑量與CMOS運放電路的輻照損傷的相關(guān)性”　半導(dǎo)體學(xué)報，2003，21（7）：780。
4、任迪遠(yuǎn)，余學(xué)鋒，艾爾肯，張國強(qiáng)，陸嫵，郭旗，范隆，嚴(yán)榮良，“MOS電容的熱載流子損傷及其與電離輻射損傷的關(guān)系”，固體電子學(xué)研究與進(jìn)展，2001,21(1):103.
5、任迪遠(yuǎn)，陸嫵，郭旗，余學(xué)鋒，嚴(yán)榮良，“不同結(jié)構(gòu)CMOS運算放大器電路的電離輻射效應(yīng)”，半導(dǎo)體學(xué)報, 2000,21（9）：898。

研究領(lǐng)域：管理工程類